اندازه گیری حالت کوانتومی میدان تابشی به روش توموگرافی هموداین اپتیکی

توموگرافی چلانده برای حالت های کوانتومی میدان تک مد

نوع جدیدی از توموگرام، توموگرام های چلانده، حالت های کوانتومی نور، می باشد. که براساس تابع توزیع تعداد فوتون ها بعد از عمل یک عملگر چلاندن بر ماتریس چگالی حالت تعداد فوتونی به دست می آید. توموگرام معرفی شده ی تابع احتمال شمارگان فوتون وا بسته به دو پارامتر حقیقی می باشد که برای آن یک ضریب مقیاس و یک زاویه چرخش تعریف می شود. زاویه چرخش و ضریب مقیاس، چهارچوب مرجع را در فضای فاز کوادراچرهای میدان ...

اندازه گیری مستقیم تابع شبه احتمال ویگنر برای میدان تابشی

چکیده ندارد.

بکارگیری الگوریتم MLPSO در پردازش اندازه گیری آنتن به روش میدان نزدیک مسطح

در سال¬های اخیر با حرکت بسمت فرکانس¬های بالا، اندازه¬گیری الگوی تابشی میدان دور آنتن¬های بزرگ بصورت مستقیم در اتاق¬های بدون انعکاس با خطا همراه شده و استفاده از روش¬های اندازه¬گیری میدان نزدیک یک ضرورت است. در این مقاله از اندازه¬گیری میدان نزدیک بروش مسطح برای استخراج الگوی تابشی میدان دور یک آنتن بشقابی استفاده شده است. برای کاهش خطای ناشی از قطع کردن تبدیل فوریه که در تبدیل میدان نزدیک-میدان...

اندازه گیری ناهمواری سطوح با استفاده از سطح نگاری اپتیکی

اندازه گیری مدول یانگ به روش فراصوتی

روش­های مختلفی برای اندازه­گیری مدول یانگ[i] وجود دارد. یکی از این روش­ها، روش فراصوتی است. روش فراصوتی به دلیل دارا بودن مزایایی همچون حساسیت، دقت و سرعت بالا و نداشتن محدودیت از نظر جنس ماده، در تعیین خواص مواد و شناسایی محل و ابعاد عیوب مختلف از اهمیت خاصی برخوردار است. سرعت امواج فراصوتی طولی و عرضی در یک قطعه استوانه­ای از جنس St37 اندازه­گیری و با توجه به رابطه بین این سرعت­ها و مدول یانگ...

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی

Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...